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多晶硅在MOS电路中占有极其重要的位置,掺杂后的多晶硅往往是用做栅极的导电材料。而腐蚀后的掺杂多晶硅的线宽决定了有源器件的栅长,而栅长确定了沟道长度并定义出了源漏电极的边界。湿法腐蚀多晶因其侧腐量大而不能使用,必须应用干法刻蚀,这里对多晶硅在干法刻蚀方面的一些问题进行了简要的分析及解决。
等离子刻蚀多晶硅问题解析
【摘 要】
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多晶硅在MOS电路中占有极其重要的位置,掺杂后的多晶硅往往是用做栅极的导电材料。而腐蚀后的掺杂多晶硅的线宽决定了有源器件的栅长,而栅长确定了沟道长度并定义出了源漏电
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2013年01期
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