【摘 要】
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基于南京电子器件研究所的0.7μm InP HBT工艺设计了一种数据转换速率达到50 Gb/s的1:4量化降速芯片。该芯片同时将前端高速高灵敏度比较器与一个1:4分接器集成到单芯片中,能
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京国博电子有限公司,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
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基于南京电子器件研究所的0.7μm InP HBT工艺设计了一种数据转换速率达到50 Gb/s的1:4量化降速芯片。该芯片同时将前端高速高灵敏度比较器与一个1:4分接器集成到单芯片中,能够直接一次性实现对2~18 GHz带宽的模拟输入信号的可靠接收和降速处理,输入信号灵敏度在芯片最高工作速率下达到1 mV,工作电压3.3 V,芯片功耗1.5 W,最高数据转换速率达到50 Gb/s,输出数据信号与时钟信号幅值均达到200 mV。
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