偏压对Zr-Nb-N扩散阻挡层成分与结构的影响

来源 :稀有金属与硬质合金 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kick666
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用射频反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Nb-N扩散阻挡层,并通过EDS、XRD、TEM和电阻测试仪等,分析了偏压对Zr-Nb-N薄膜结构与电性能的影响。结果表明Zr-Nb-N薄膜的成分、电阻率和结构均随偏压的改变而不同:Nb/Zr摩尔比随偏压的增加而增大;电阻率随偏压的增加先升高后降低。在偏压为-150V时,可制备出单一相、结构为均匀置换固溶体的纳米晶Zr-Nb-N薄膜。 The Zr-Nb-N diffusion barrier was deposited by RF reactive magnetron sputtering at different bias voltages. The effects of bias voltage on the structure and microstructures of Zr-Nb-N thin films were analyzed by EDS, XRD, TEM, The impact of electrical properties. The results show that the composition, resistivity and structure of Zr-Nb-N thin films vary with the bias voltage. The molar ratio of Nb to Zr increases with the increase of bias voltage. The resistivity increases first and then decreases with the increase of bias voltage . When the bias voltage is -150V, a single-phase nanocrystalline Zr-Nb-N thin film with homogeneous structure and solid solution can be prepared.
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