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GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。
降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究
【摘 要】
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GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220
【出 处】
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天津科技
【发表日期】
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2016年2期
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