【摘 要】
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目的探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下，利用碱性FA／O型鳌合剂极强的鳌合能力，对铜膜进行化学机械抛光，通过调节抛光工艺参数及抛光液配比，获得超高的抛光速率和
【机 构】
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河北工业大学微电子研究所,河北联合大学信息工程学院
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目的探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下，利用碱性FA／O型鳌合剂极强的鳌合能力，对铜膜进行化学机械抛光，通过调节抛光工艺参数及抛光液配比，获得超高的抛光速率和较低的表面粗糙度。结果在压力27．56kPa，流量175mL／min，上下盘转速105／105r／min，pH=11．0，温度40℃，氧化剂、磨料、螯合剂体积分数分别为1％，50％，10％的条件下，经过CMP平坦化，铜膜的去除速率达2067．245nm／min，且表面粗糙度得到明显改善。结论该工艺能获得高抛光速率。
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