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石墨烯纳米带是一个极具应用前景的材料。本文利用密度泛函理论讨论了氮原子掺杂扶手型石墨烯纳米带的几何结构和电子结构。我们以1nm宽边缘采用氢原子饱和的石墨片纳米带为研究对象。研究结果表明：对扶手型石墨片纳米带，几何结构和电子结构敏感于掺杂的氮原子。氮原子在纳米带边缘的取代使得在费米面附近产生较大的能隙。即可通过掺杂氮原子使扶手型石墨烯纳米带体系的半导体性增强。