【摘 要】
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介绍了Ｔｉ－Ａｕ，Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ，Ｍｏ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ等多种金属膜分别在４００，４２５，４５０，４７５和５００℃，３０分钟等时退火后的显微镜观察结果和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明，Ｔｉ由于在Ａｕ中扩散太快，阻挡性能较差，而Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ都有较好的阻挡性能。结合实际应用，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ应
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介绍了Ｔｉ－Ａｕ，Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ，Ｍｏ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ等多种金属膜分别在４００，４２５，４５０，４７５和５００℃，３０分钟等时退火后的显微镜观察结果和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明，Ｔｉ由于在Ａｕ中扩散太快，阻挡性能较差，而Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ都有较好的阻挡性能。结合实际应用，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ应是硅微波功率管的金属化的较佳选择。
A variety of metal films such as Ti-Au, Ti-W-Pt-Au, Mo-Au, TiW-Au and TiW-Pt-Au were annealed at 400, 425, 450, 475 and 500 ℃ respectively for 30 minutes Post-microscopic observation and Auger spectrum analysis of typical samples. The results show that Ti has better barrier properties due to its fast diffusion in Au and poor barrier properties, while W, Mo and TiW have better barrier properties. Combined with practical applications, TiW-Pt-Au should be a better choice for metallization of silicon microwave power tubes.
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