【摘 要】
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利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学
【机 构】
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内蒙古大学半导体能源实验室,内蒙古大学半导体能源实验室,内蒙古大学半导体能源实验室 88届研究生 内蒙古电业管理局中试所
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利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学性质、组份、结构与工艺条件的关系进行了讨论。
CuInSe_2 (CIS) polycrystalline materials with a single chalcopyrite structure were synthesized by elemental synthesis. The CIS film was prepared by a microprocessor control system, controlled evaporation of CIS and Cu or controlled evaporation of CIS and Se. The preparation of the CIS film optical properties, electrical properties, composition, structure and process conditions were discussed.
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