通用电路分析程序SPICE-Ⅱ中的MOS场效应管模型(二)

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Ⅳ.MOS3模型与MOS2解析模型不同,MOS3采用半经验公式描述器件中的二阶效应,包括: (1)短沟道和狭沟道效应对阈值电压的影响; (2)静电反馈对阈值电压的影响; (3)热电子效应对迁移率的影响; MOS3 model is different from MOS2 analytical model, MOS3 semi-empirical formula describes the second-order effects in the device, including: (1) short channel and narrow channel effects on the threshold voltage; (2) electrostatic feedback on the threshold voltage ; (3) the effect of thermoelectron effect on the mobility;
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