【摘 要】
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对（Al+Cu）质量分数分别为0.25%和0.5%的钕铁硼基体分别进行Dy晶界扩散,并分析了其矫顽力、Dy含量分布和微观结构。通过比较2种磁体的成分、性能发现,在Dy增加量基本相同的情况下,高（Al+Cu）磁体扩散后的矫顽力提高量相较于低（Al+Cu）磁体高37～44 kA/m。进一步进行成分和矫顽力的梯度分析发现,基体的（Al+Cu）含量变化并没有改变扩散后磁体内部Dy元素随扩散深度的浓度分布,
【基金项目】
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安泰科技公司技术创新项目（2019JC0001ZCGN）；
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对（Al+Cu）质量分数分别为0.25%和0.5%的钕铁硼基体分别进行Dy晶界扩散,并分析了其矫顽力、Dy含量分布和微观结构。通过比较2种磁体的成分、性能发现,在Dy增加量基本相同的情况下,高（Al+Cu）磁体扩散后的矫顽力提高量相较于低（Al+Cu）磁体高37～44 kA/m。进一步进行成分和矫顽力的梯度分析发现,基体的（Al+Cu）含量变化并没有改变扩散后磁体内部Dy元素随扩散深度的浓度分布,但是矫顽力梯度分析结果显示,高（Al+Cu）样品的各片层矫顽力提升量均比低（Al+Cu）样品各片层高40～80 kA/m。后续的EPMA的Dy面分布图显示,高（Al+Cu）基体扩散后Dy在晶界处富集条纹更清晰、连续,而TEM的EDS分析结果也显示,高（Al+Cu）样品中晶界附近Dy含量更高。（Al+Cu）含量的提高,使得晶界相的流动性增强,Dy更加连续包裹主相晶粒,使得在整体Dy增加量相同的情况下进一步提升矫顽力。
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