GaAs（001）衬底上经双缓冲层生长的Hg1—xCdxTe—HgTe超晶格结构

来源 :天津师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangtingzhi2009

【摘要】

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用X-射线衍射测定了分子束外延(MBE)法生长的Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格样品在(001)附近的扫描徊摆曲线,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线,实验曲线与理论计算基本上相符合. 由

【作者】

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刘义族于福聚

【机构】

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天津师范大学物理与电子信息学院,中国科学院上海技术物理研究所

【出处】

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天津师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2001年3期

【关键词】

：

分子束外延法 Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格 CdTe/ZnTe/GaAs异质结双缓冲层生长晶格结构晶格生长 MBE Hg1xCdxTeHgTe s

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用X-射线衍射测定了分子束外延(MBE)法生长的Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格样品在(001)附近的扫描徊摆曲线,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线,实验曲线与理论计算基本上相符合. 由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度,阱HgTe层厚度及垒Hg1-xCdxTe层厚度与模拟计算的相一致. 用透射电子显微镜(TEM)对同一样品的横截面进行了分析,对CdTe/ZnTe/ GaAs异质结界面失配位错的组态特征进行了研究. 证明用CdTe/ZnTe作为双缓冲层比单一的CdTe有较好的效果. 截面TEM高分辨率

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