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研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI（Tl）晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征，探索了CsI（Tl）晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI（Tl）晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论。实验表明，用这种方法所生长的CsI（Tl）晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同。