【摘 要】
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基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分。研制的S波段放大器链主要由驱动放大器和功率放大器组成,驱动放大器与功率放大器都
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基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分。研制的S波段放大器链主要由驱动放大器和功率放大器组成,驱动放大器与功率放大器都是基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的混合集成电路。基于混合集成电路的放大器链获得了高的输出峰值功率和附加功率(PAE),整个放大器链输出功率在800 MHz频率范围内大于20 W,附加效率(PAE)大于50%。
Power amplifier chains based on Si-substrate AlGaN / GaN HEMT devices are the core of the next generation S-band phased array radar T / R components. The developed S-band amplifier chain is mainly composed of a driving amplifier and a power amplifier, and both the driving amplifier and the power amplifier are hybrid integrated circuits based on the Si substrate AlGaN / GaN HEMT device. The hybrid IC-based amplifier chain achieves high output peak power and additional power (PAE) with an overall amplifier chain output power of greater than 20 W at 800 MHz and greater than 50% additional efficiency (PAE).
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