【摘 要】
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利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45 nm的钛铌酸锶钡(Ba1-XSrXNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1-XSrXNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器.测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电
【机 构】
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华南理工大学,物理科学与技术学院,广东,广州,510641华南农业大学,理学院,广东,广州,510642
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利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45 nm的钛铌酸锶钡(Ba1-XSrXNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1-XSrXNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器.测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电流,调制光下的频率特性.实验结果表明:在钛酸钡中掺入锶(Sr)和铌(Nb)后,禁带内引入了杂质能级,钛铌酸锶钡禁带宽度变为2.7 eV,且可见光区域存在连续的吸收峰.该薄膜在近紫外及可见光范围内具有良好的光敏特性,其灵敏度和光电导增益较高,并且具有较好的线性光照特性.光照强度较低时,电阻器的光照特性属于单分子复合过程;光照强度较高时,电阻器的光照特性属于双分子复合过程.通过对该薄膜电阻器频率特性的测量得出:在光照度为200 lx时,薄膜中光生载流子的寿命为27 ms.
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