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本文概述了硅锗(SiGe)技术发展趋势及优势, 阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)技术, 硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件在无线通信领域优良的性能, 低廉的成本, 可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力. 硅互补型金属氧化物半导体(Si CMOS)工艺因其低廉的成本, 较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础, 而硅锗互补型金属氧化物半导体/硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGe CMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体(CMOS)