应用于无线电发射领域的第二代SiGe技术进展

来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：heshang9994

【摘要】

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SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造GSM、DCS、GPS中的LNA、PA、DACs和混频器等.为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(

【作者】

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孙伟峰叶志镇赵炳辉朱丽萍

【机构】

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浙江大学硅材料国家重点实验室

【出处】

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材料导报

【发表日期】

：

2005年11期

【关键词】

：

SIGE 双极 CMOS 射频 MSG SI/SIGE 技术进展第二代发射区应用 SiGe bipolar CMOS RF MSG

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SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造GSM、DCS、GPS中的LNA、PA、DACs和混频器等.为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如Atmel Wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代Si/SiGe双极技术(SiGe2).这种高性能的新技术可使发射区的宽度降到0.5μm,输运频率fT和最大震荡频率fmax达到90GHz以上[1];5GHz和20GHz的最大稳定增益(MSG)分别为22dB和11dB.SiGe

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