【摘 要】
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为得到高精度低温度系数、高电源抑制比的基准电压,同时为了降低工艺中非理想性因素的影响,设计了一种新的带有修调的分段曲率补偿基准电路.通过利用电阻分压和工作在亚阈值
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海科技大学物理科学与技术学院,中国科学院大学
【基金项目】
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国家重点研发计划(2016YFB0100700)
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为得到高精度低温度系数、高电源抑制比的基准电压,同时为了降低工艺中非理想性因素的影响,设计了一种新的带有修调的分段曲率补偿基准电路.通过利用电阻分压和工作在亚阈值区域的MOSFET的电学特性,产生正温度系数和负温度系数的电流,在高温段和低温段分别对带隙基准电压进行曲率补偿,提出了一种新的快速优化基准电压温度系数的芯片级修调方法,包含温度系数修调和电压幅值修调,可以快速获得最低温度系数对应码值以提升工作效率.基于0.35μm BCD工艺,流片验证了该修调方案的可行性.结果表明:在-40℃~125℃内,基准电
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