里德型大功率砷化镓崩越二极管

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【摘要】

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据日本电气公司（NEC）报导,用砷化镓肖特基势垒崩越二极管在9～10千兆赫频段内,获得了10瓦的微波振荡功率,其效率大于20％。这是现今已报导过的单个封装的半导体二极管中最高的连续

【作者】

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川舸

【出处】

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半导体情报

【发表日期】

：

1975年4期

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据日本电气公司（NEC）报导,用砷化镓肖特基势垒崩越二极管在9～10千兆赫频段内,获得了10瓦的微波振荡功率,其效率大于20％。这是现今已报导过的单个封装的半导体二极管中最高的连续功率。此二极管是M—n+—n—n+里德型结构,用铂在具有高掺杂和低掺杂两层结构的砷化镓外延片上形成肖特基势垒。采用精确控制的Ga/AsCl3/H2气体的输运过程来制备

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