六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangjianglong

【摘要】

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利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层, 用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜, 得到应力小裂纹少的外延材料。实验中, 对hBN材料进行人为表面化学修饰, 以增加hBN的缺陷和后续AlN生长的成核中心。对比分析了有无hBN成核层时生长的AlN薄膜质量, 证实了hBN有助于减少AlN外延层中的裂纹, 空气孔隙及应力。研究了V/III生长参数对AlN薄膜表面形貌、晶体质量和应力的影响, 得到合适的生长窗口, 获得完全无应力的氮化铝外延层, 且其位错密度与蓝宝石上生长的氮化铝相当

【作者】

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吴清清闫建昌张亮陈翔魏同波李杨刘志强魏学成王军喜李晋闽

【机构】

：

中国科学院半导体研究所照明研发中心,北京10083中国科学院大学,北京10049北京第三代半导体材料与应用工程技术研究中心,北京10083

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2017年46期

【关键词】

：

AlN薄膜六方氮化硼 MOCVD 缺陷应力 AlN films Hexagonal BN MOCVD Defect Stress

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