200 V高压SOI PLDMOS研究

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Horus_Ra

【摘要】

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提出了一种200 V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系.经过专

【出处】

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电子器件

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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击穿电压导通电阻 SOI PLDMOS

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提出了一种200 V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系.经过专业半导体仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真,在0.8 μm 埋氧层、10 μm SOI层材料上设计得到了关态耐压248 V、开态饱和电流2.5×10-4A/μm、导通电阻2.1(105 Ω*μm的SOI PLDMOS,该器件可以满足PDP扫描驱动芯片等的应用需求.

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