【摘 要】
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Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋 Bragg反射器镜面的制备 .用 PECVD方法在 Si衬底上制备了 Si Ox Ny/Si Bragg反射器 ,研究了 Bragg反射器的反射谱和退火行为 .
The
【机 构】
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集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所!北京100083,集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所!北京100083,集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所!北京10
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Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋 Bragg反射器镜面的制备 .用 PECVD方法在 Si衬底上制备了 Si Ox Ny/Si Bragg反射器 ,研究了 Bragg反射器的反射谱和退火行为 .
The key technology of Si-based resonant cavity photodetector is the preparation of buried Bragg reflector mirror surface.The Si Ox Ny / Si Bragg reflector was prepared on Si substrate by PECVD method, the reflection spectrum and annealing of Bragg reflector Behavior.
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