Ⅱ-Ⅵ族三元合金半导体ZnS_(1-x)Te_x薄膜的俄歇电子能谱化学位移实验研究

来源 :暨南大学学报(自然科学与医学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaoaixiaoaixiaoai
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对分子束外延(MBE)生长的Ⅱ-Ⅵ族三元合金半导体碲硫锌ZnS1-xTex(0≤x≤1)单晶薄膜的特征俄歇电子能谱进行实验研究,发现其中各元素俄歇峰的化学位移随x的增大而非线性减小的变化规律。
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