【摘 要】
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为了研究漏极偏压变化对P-GaN器件可靠性的影响,文中对P-GaN商用器件进行漏极应力测试。通过改变漏极应力偏置电压和偏置时间,观察GaN器件导通电阻和阈值电压的变化。测试结
【基金项目】
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广东省自然科学基金(2019A1515011522)。
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为了研究漏极偏压变化对P-GaN器件可靠性的影响,文中对P-GaN商用器件进行漏极应力测试。通过改变漏极应力偏置电压和偏置时间,观察GaN器件导通电阻和阈值电压的变化。测试结果表明,无P-GaN漏极结构的器件导通电阻随着漏极电压变化先增大后减小,而阈值电压几乎不受影响;有P-GaN漏极结构的器件导通电阻几乎不受影响,而阈值电压随着漏极电压变化先减小后增大。通过对器件不同加压时间的测试发现,随着时间增加,无P-GaN漏极结构的器件退化明显;而有P-GaN漏极结构的器件性能较为稳定。不同结构的商用GaN器件可
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