【摘 要】
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为了满足集成电路向高密谋,高速度和高可靠性发展的需要,特别是浅结和微小区域的欧姆接触的需要,使用多层金属化系统,多层金属化要求低的接触电阻,高可靠性.TiN/TiSi2是一种
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为了满足集成电路向高密谋,高速度和高可靠性发展的需要,特别是浅结和微小区域的欧姆接触的需要,使用多层金属化系统,多层金属化要求低的接触电阻,高可靠性.TiN/TiSi2是一种很理想的欧姆接触系统.本文对在Si衬底上蒸发Ti膜用注入剂理比较低的N+注入,经一步热处理同时形成TiN/TiSi2,再蒸发导电层Al 所形成Al/TiNxOyCx/TISi2/Si金属化系统的性能做了研究,并且进行了失效分析,认为这种系统实现了低的接触电阻,高可靠性(600度,1小时性能良好)和简单的制造工艺
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