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介绍了高分辨率硅基微显OLED的特性和时间子场的数字灰度技术。基于单晶硅CMOS成熟技术，给出了一种片上电路设计方案，方案采用2管的数字像素电路，集成了行扫描电路及列数据驱动电路，经模拟仿真满足设计要求。
一种基于数字灰度的微显OLEDos的片上电路设计
【摘 要】
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介绍了高分辨率硅基微显OLED的特性和时间子场的数字灰度技术。基于单晶硅CMOS成熟技术，给出了一种片上电路设计方案，方案采用2管的数字像素电路，集成了行扫描电路及列数据驱动
【机 构】
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特种显示技术教育部重点实验室,合肥工业大学光电技术研究院,合肥工业大学仪器与光电工程学院
【出 处】
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现代显示
【发表日期】
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2008年1期
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