【摘 要】
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研究了不同体积分数原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料在900℃空气中1000 h的长期氧化行为.复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象. 6种材料都表现出优异的氧化抗力,原位
【机 构】
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内蒙古科技大学材料与冶金学院; 北京科技大学新金属材料国家重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51871012);金属材料磨损控制与成型技术国家地方联合工程研究中心开放课题资助项目(HKDNM201805)
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研究了不同体积分数原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料在900℃空气中1000 h的长期氧化行为.复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象. 6种材料都表现出优异的氧化抗力,原位合成的复合材料的氧化抗力好于传统的通过热压商用MoSi2粉末和Si C粉末混合物制备的复合材料（外加复合材料）.复合材料氧化膜表层为连续致密的α-SiO2（α-石英）,下层为Mo5Si3,复合材料的氧化过程不仅是O2与MoSi2的作用,SiC也同时发生了氧化.材料900℃下发生硅的选择性氧化,正是这种硅的选择性氧化在MoSi2的表面自发形成一层致密的SiO2保护膜,使材料表现出优异的长期氧化抗力.
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