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Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注。ZnO的激子束缚能高达60meV，具有优良的光学性质。因此，Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶，讨论了不同Mn含量对材料结构和光致发光的影响。XRD结果表明，所有的样品均具有六角纤锌矿结构，并且随着引入Mn含量的增加，样品的晶格常数增大。光致发光结果显示，随Mn含量的增加，样品的紫外发光峰先红移后蓝移。光致发光谱也显示，适量的Mn掺杂可以钝化样品的可见区发射，提高样品的