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基于串联双光子光折变晶体回路中一维独立屏蔽孤子对的理论,研究了独立明-暗屏蔽孤子对中暗孤子对明孤子自偏转的影响。数值结果表明:晶体中明孤子以抛物线形式发生偏转,空间漂移随暗孤子的入射强度变化而改变。用微扰法对自偏转的影响进行进一步的研究。这些结果对光控光器件的工程实现具有重要的参考价值。