【摘 要】
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逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)以其良好的软关断特性、短路特性以及良好的功率循环特性等优点,成为现在半导体功率器件技术领域研究的热点.RC-IGBT在拥有众多优点的同时,最典型的问题就是电压回跳现象,如何抑制或消除器件开启初期固有的回跳现象是RC-IGBT器件领域的技术关键.通过对RC-IGBT领域的国内外专利申请进行整理、分析,具体介绍了解决RC-IGBT器件回跳问题的五个主要技术分支:引导IGBT区法、阻断电子电流法、强化集电极短路电阻法、超结结构法、绝缘分离法,并展示了相应的典型器件结构、
【机 构】
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国家知识产权局专利局 电学部,北京 102200
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逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)以其良好的软关断特性、短路特性以及良好的功率循环特性等优点,成为现在半导体功率器件技术领域研究的热点.RC-IGBT在拥有众多优点的同时,最典型的问题就是电压回跳现象,如何抑制或消除器件开启初期固有的回跳现象是RC-IGBT器件领域的技术关键.通过对RC-IGBT领域的国内外专利申请进行整理、分析,具体介绍了解决RC-IGBT器件回跳问题的五个主要技术分支:引导IGBT区法、阻断电子电流法、强化集电极短路电阻法、超结结构法、绝缘分离法,并展示了相应的典型器件结构、工作原理及其技术效果,为完全消除RC-IGBT的回跳现象以提升器件整体性能指明了技术发展方向.
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