【摘 要】
：
为了获取碳化硅（Si C）MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用Agilent B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪在
【机 构】
：
华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室
【基金项目】
：
国家重点研发计划项目（2016YFB0400503）
论文部分内容阅读
为了获取碳化硅（Si C）MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用Agilent B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪在不同温度下对器件的静态特性及寄生电容进行测量。并基于已有硅（Si）MOSFET的静态特性理论,结合碳化硅材料的温度特性,详细分析了碳化硅MOSFET静态特征参数的温度特性。研究结果表明碳化硅MOSFET的跨导具有与硅器件完全不同的温度特性,并且相比于第一代碳化硅MOSFET,第二代器件的泄漏电流表现
其他文献
本文从评价的必要性、性质和内容、原则、主体及组织和管理五个方面提出了构建教材评价体系的建议
本世纪初,美国在特殊教育领域导入了教学领导动态体系。实践表明,由宏观教学领导、中观教学领导和微观教学领导三个层次所发挥的支持性与发展性功能,推动了政府、校长和教师
采用一步催化法，制备ZrO2光敏溶胶，用提拉法形成了单层光敏凝胶膜。采用紫外光刻技术，将掩摸图形转移到光敏凝胶膜上，通过曝光角度的控制，实现具有一定倾角的闪耀光栅制备，以紫外分
<正>为进一步贯彻聋校课程设置实验方案精神,提升数学教师对"数学课标"的理解力和执行力,提高课堂教学效能,《现代特殊教育》编辑部与厦门市教育科学研究院决定联合主办(厦门
<正>设计档案作为设计院科技成果的结晶和信息源,是设计院可持续发展的重要基础保障。如何抓住当前经济社会发展和信息化建设不断推进的有利时机,
针对胜利煤矿地质构造与可采煤层特征,煤质、瓦斯煤尘、水文地质、井田储量等问题,进行了分析,并对于开拓方式、巷道布置、采煤方法进行了探讨。
作为意大利先进无产阶级者的葛兰西,曾被当时的社会现状一度困扰。在社会矛盾、阶级斗争激烈的现实下,葛兰西通过研究学习,吸收了克罗齐的历史哲学、拉布利奥拉和马克思实践
劳动卫生学是预防医学领域中研究劳动条件对劳动者健康的影响以及研究改善劳动条件的一门学科。劳动卫生学的实验教学部分十分重要,可以帮助预防专业学生完成由学习理论向实