【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积技术实现了nc-SiOx/SiO2多层结构薄膜在220℃的低温沉积,并对其450℃N2+H2形成气体退火前后的微结构及其发光特性进行了研究。结果表明,直接沉
【机 构】
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河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(60878040),河北省自然科学基金(F2013201250),河北省科技厅项目(12963930D)
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采用等离子体增强化学气相沉积技术实现了nc-SiOx/SiO2多层结构薄膜在220℃的低温沉积,并对其450℃N2+H2形成气体退火前后的微结构及其发光特性进行了研究。结果表明,直接沉积的纳米硅多层薄膜未观察到较明显的室温发光,而形成气体退火后样品出现峰值位于780 nm附近较强的光致发光,归因于活性氢能有效钝化纳米硅表面悬键,提高了材料的发光强度。结合瞬态发光谱分析,采用量子限制-发光中心模型可以合理解释纳米硅多层结构的发光特性。
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