基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路

来源 :天津大学学报(自然科学与工程技术版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:xjp_djx
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基于IBM0.18,μmSiGeBiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对Cherry-Hooper结构进行了改进,设计出一种三级级联的限幅放大器,而直流偏移消除电路则使用了差分有源密勒电容(DAMC)来替代传统的片外大电容,提高了电路集成度和稳定性.版图后仿结果表明,在探测器等效电容为300,fF的情况下,光接收机前端电路的跨阻增益为97,dB,-3,dB带宽为11.7,GHz,等
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