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采用射频-等离子体辅助化学气相沉积（RF-PECVD）法在硅片、玻璃上生长类金刚石薄膜。通过Raman光谱、AFM等测试手段，研究不同的生长工艺条件下类金刚石薄膜的性质的变化。实验表明，RF-PECVD生长DLC膜，在上方电极处以及较低功率下可获得较高sp^3含量的薄膜。
含氢类金刚石薄膜的生长及表征
【摘 要】
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采用射频-等离子体辅助化学气相沉积（RF-PECVD）法在硅片、玻璃上生长类金刚石薄膜。通过Raman光谱、AFM等测试手段，研究不同的生长工艺条件下类金刚石薄膜的性质的变化。实验表
【机 构】
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厦门大学物理系
【出 处】
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光谱实验室
【发表日期】
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2008年3期
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