基于HBT工艺的高功率低相位噪声QVCO

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【摘要】

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基于Sanan 2 μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO).该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器

【作者】

：

曹军蔡运城赵君鹏吴凯翔高海军

【机构】

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杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室,杭州,310018

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2020年1期

【关键词】

：

异质结双极晶体管正交压控振荡器高功率低相位噪声

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基于Sanan 2 μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO).该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器基波正交.该QVCO比传统串并联晶体管耦合电路具有更高的输出功率和更低的相位噪声.仿真结果表明,该QVCO的调谐范围为12.98～ 14.05 GHz.振荡频率为13.51 GHz时,输出信号功率为12.557 dBm.相位噪声为-117.795 dBc/Hz@1 MHz.

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