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本工作报道了一种光辅助湿法腐蚀半导体氮化物ＧａＮ的新方法。这一腐蚀技术具有简单，易控制和低损伤等优点。采用２００Ｗ汞灯辐照和ＮａＯＨ的溶液腐蚀可得到几百纳米／分的腐蚀速率，研究了影响腐蚀速率的因素并讨论了腐蚀机制。
氮化物半导体GaN的光辅助湿法腐蚀
【摘 要】
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本工作报道了一种光辅助湿法腐蚀半导体氮化物ＧａＮ的新方法。这一腐蚀技术具有简单，易控制和低损伤等优点。采用２００Ｗ汞灯辐照和ＮａＯＨ的溶液腐蚀可得到几百纳米／分的腐蚀速率，研究了影响腐蚀速
【机 构】
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北京大学物理系和介观物理国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年9期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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