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采用平面波近似数值方法解非均匀磁场中电子的薛定谔方程,计算了在半导体异质结上沉积带状导电薄膜(通有电流)或Ⅰ型超导材料产生的两种类型的双磁垒体系的电子隧道结构,以及相应的弹射(ballistic)电导,得知这两种体系的电子隧穿情形差异较大,而它们的电导结构却很相似.
双磁垒中电子的隧穿效应
【摘 要】
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采用平面波近似数值方法解非均匀磁场中电子的薛定谔方程,计算了在半导体异质结上沉积带状导电薄膜(通有电流)或Ⅰ型超导材料产生的两种类型的双磁垒体系的电子隧道结构,以及
【机 构】
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浙江大学生物医学工程系
【出 处】
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计算物理
【发表日期】
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2002年3期
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