【摘 要】
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钝化膜的空间电荷电容的测量(Mott-Schottky(M-S)曲线)是研究其半导体性质的重要手段,双极性半导体钝化膜在耗尽态电位区M-S曲线斜率往往会发生改变,首先建立了半导体富集态、耗
【机 构】
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中国石油大学(北京)机电学院材料科学与工程系
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钝化膜的空间电荷电容的测量(Mott-Schottky(M-S)曲线)是研究其半导体性质的重要手段,双极性半导体钝化膜在耗尽态电位区M-S曲线斜率往往会发生改变,首先建立了半导体富集态、耗尽态以及反型态空间电荷电容的统一计算公式,进而将双极性半导体钝化膜空间电荷电容等效为钝化膜/溶液界面处电容和内层钝化膜/外层钝化膜界面处的np结电容的串联,模拟计算结果能够很好地解释M-S曲线斜率发生改变这一实验现象.同时,计算结果表明,对于双极性半导体的M-S曲线,利用其直线部分的斜率、直线与电位坐标轴的截距来确定钝化
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