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本文利用量子化学理论方法研究了含有不同金属（Ｍ＝Ｙ，Ｍｇ和Ａｌ）掺杂的ＺｒＯ２陶瓷体系的电子能谱和不同原子的局域态密度，并结合实验分析探讨了掺杂下的电子导电和离子导电行为，研究表明，Ａｌ掺杂体系费米能级附近的能隙较小，因而其电子导电能力强；而Ａｌ与Ｏ的结合较强，使Ｏ空位形成能加大，表现出其离子导电性弱，而Ｙ掺杂与Ａｌ掺杂的情形相反，Ｙ掺杂导致了较强的离子导电性，但电子导电性较弱，Ｍｇ掺要的影响介于