【摘 要】
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研究了6H—SiC埋沟MOSFET器件的电容一电压特性，建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系，考虑了SiO2／SiC界面态及pn结对电容一电压特性的
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研究了6H—SiC埋沟MOSFET器件的电容一电压特性，建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系，考虑了SiO2／SiC界面态及pn结对电容一电压特性的影响。对模型进行了仿真分析验证，结果表明：在假设界面态密度分布均匀条件下，由于对界面态做了简化处理，因而在耗尽模式及夹断模式下的C—V特性计算结果与实验结果有所差异。
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