非晶硅银势垒电池的I-V曲线

来源 :四川大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:cy58452
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本文介绍用直流辉光放电装置制备非晶硅薄膜。由X光衍射图样和扫描电镜分析确定此薄膜为非晶形的;用差动扫描量热法测定它的结晶温度为665℃;测量了银势垒电池的Ⅰ—Ⅴ曲线,并对结果进行了讨论。 This article describes the use of DC glow discharge amorphous silicon thin film preparation. The film was amorphous by X-ray diffraction pattern and scanning electron microscopy. The crystallization temperature of the film was determined to be 665 ℃ by differential scanning calorimetry. The Ⅰ-Ⅴ curve of the silver barrier cell was measured and the results were analyzed discuss.
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