【摘 要】
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设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的
【机 构】
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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
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设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益。采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺设计,在本振（LO）信号的频率为1.571GHz,射频（RF）信号频率为1.575GHz时,混频器的增益为17.5dB,噪声系数（NF）为8.35dB,三阶交调截止点输入功率（IIP3）为-4.6dBm。混频器工作电压1.8V,直流电流为8.8mA,版图总面积为0.63mm×0.78mm
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