用200kV高分辨电子显微镜辨认3C—SiC中的硅和碳原子

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用200kV六硼化镧灯丝的高分辨电子显微镜拍摄了外延生长在硅衬底的3C-SiC薄膜的[110]显微像。经过解卷处理和衍射振幅校正,把实验像转换为直接反映晶体投影结构的结构像,近邻Si、C原子柱显现为黑(灰)的像点时,即所谓的哑铃。测量了结构像中不同厚度区域哑铃的灰度变化,分析了哑铃中二个端点的相时灰度值随厚度的变化关系,结合赝弱相位物体近似像衬理论进行分析,辨认出Si与c原子柱。
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