考虑各项异性散射的锗中电子输运的全能带蒙特卡洛模拟

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huhf1984
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在考虑各向异性散射的基础上,对锗中电子输运特性进行了全能带蒙特卡洛模拟.计算过程如下:锗的全能带由nonlocal empirical pseudopotential方法求得;态密度的相对值通过不同能量的状态数得到;声子色散谱由adiabatic bond—charge模型求出;电子-声子散射率在低能量时采用费米黄金律得出的非抛物线散射率,高能量则通过态密度对其修正而得到;散射后的状态满足能量守恒和动量守恒.通过比较计算结果与实验报道,证实了该模型算法的正确性,由于该模型能正确反映锗中电子的速度与能量特性
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