【摘 要】
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红外光电探测器及阵列常常需要通过制冷来取得最佳性能。1~3μmPbS 探测器尽管一般在室温下工作,但最佳工作度温通常为195K。一般说来,1~3,3~5和8~14μm波段的本征红外光电探测
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红外光电探测器及阵列常常需要通过制冷来取得最佳性能。1~3μmPbS 探测器尽管一般在室温下工作,但最佳工作度温通常为195K。一般说来,1~3,3~5和8~14μm波段的本征红外光电探测器,其工作温度在300~60K范围内。非本征光电探测器的工作温度更低,Si(In)、Si(Ga)和 Si(As)的工作温度通常分别为45、25和15K。在热探测器领域,Ge测辐射热计在0.3K下取得了极佳灵敏度;
Infrared photodetectors and arrays often need to be cooled to achieve the best performance. 1 ~ 3μmPbS detectors generally work at room temperature, but the best working temperature is usually 195K. In general, 1 ~ 3, 3 ~ 5 and 8 ~ 14μm band intrinsic infrared photodetector, its operating temperature in the range of 300 ~ 60K. Extrinsic photodetectors operate at lower temperatures, and the operating temperatures for Si (In), Si (Ga) and Si (As) are typically 45, 25 and 15 K, respectively. In the area of heat detectors, the Ge bolometers achieved excellent sensitivity at 0.3 K;
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