红外系统的微型制冷

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红外光电探测器及阵列常常需要通过制冷来取得最佳性能。1~3μmPbS 探测器尽管一般在室温下工作,但最佳工作度温通常为195K。一般说来,1~3,3~5和8~14μm波段的本征红外光电探测器,其工作温度在300~60K范围内。非本征光电探测器的工作温度更低,Si(In)、Si(Ga)和 Si(As)的工作温度通常分别为45、25和15K。在热探测器领域,Ge测辐射热计在0.3K下取得了极佳灵敏度; Infrared photodetectors and arrays often need to be cooled to achieve the best performance. 1 ~ 3μmPbS detectors generally work at room temperature, but the best working temperature is usually 195K. In general, 1 ~ 3, 3 ~ 5 and 8 ~ 14μm band intrinsic infrared photodetector, its operating temperature in the range of 300 ~ 60K. Extrinsic photodetectors operate at lower temperatures, and the operating temperatures for Si (In), Si (Ga) and Si (As) are typically 45, 25 and 15 K, respectively. In the area of ​​heat detectors, the Ge bolometers achieved excellent sensitivity at 0.3 K;
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