【摘 要】
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以SnC l4.5H2O、Ce(NO3)3.6H2O、CuC l2.2H2O、La(NO3)3.6H2O为原料,柠檬酸为络合剂,采用sol-gel法,浸渍提拉技术制备了纯SnO2及其掺杂薄膜。利用XRD分析方法进行了物相结构
【机 构】
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燕山大学材料学院,燕山大学环境与化学工程学院,
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以SnC l4.5H2O、Ce(NO3)3.6H2O、CuC l2.2H2O、La(NO3)3.6H2O为原料,柠檬酸为络合剂,采用sol-gel法,浸渍提拉技术制备了纯SnO2及其掺杂薄膜。利用XRD分析方法进行了物相结构分析,研究了掺杂比对各掺杂SnO2薄膜元件气敏特性的影响。发现掺杂比相同时,掺杂Ce3+的SnO2样品的晶粒尺寸最小,为9.5nm;Ce3+、Cu2+、La3+掺杂量为4%时,对64.50ppm乙醇气体的灵敏度都最大,分别为28.1、26.4、24.4。
The SnO2, Ce (NO3) 3.6H2O, CuCl2.2H2O and La (NO3) 3.6H2O were used as raw materials and citric acid was used as the complexing agent to prepare pure SnO2 by sol-gel method and impregnation Doped films. The phase structure analysis was carried out by XRD analysis, and the effect of doping ratio on the gas sensing properties of SnO2 thin film devices was studied. When the doping ratio is the same, the grain size of SnO2 sample doped with Ce3 + is the smallest at 9.5nm. When the doping amount of Ce3 +, Cu2 + and La3 + is 4%, the sensitivity to 64.50ppm ethanol gas is the highest at 28.1% 26.4, 24.4.
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