【摘 要】
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红外吸收谱分析表明，聚硅烷Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ（ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜，ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５－２．０之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关。
Infrared absorption spectrum analysi
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红外吸收谱分析表明，聚硅烷Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ（ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜，ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５－２．０之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关。
Infrared absorption spectrum analysis showed that the poly silane (PMPES) was converted to PSiOx after oxygen plasma treatment. The x in PSiOx ranged from 1.5 to 2.0. The high band C-V characteristic flat band voltage Positive, size and oxygen plasma treatment conditions and PMPES thickness.
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