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期刊论文
多孔硅形成机理研究的新进展
多孔硅形成机理研究的新进展
来源 :辽宁大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nzj66
【摘 要】
:
更深入地分析了多孔硅形成的几种模型,对影响多孔硅形成的几个关键因素提出了新观点,描述了多孔硅的形成过程的一些特性,指出了多孔硅的应用与发展的前景.
【作 者】
:
付世
丁德宏
姚朋军
单新华
沈桂芬
【机 构】
:
辽宁大学
【出 处】
:
辽宁大学学报:自然科学版
【发表日期】
:
2003年1期
【关键词】
:
多孔硅
形成机理
晶向
散射
孔隙度
研究进展
半导体材料
反应剂
porous silicon crystal orientation scattering
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更深入地分析了多孔硅形成的几种模型,对影响多孔硅形成的几个关键因素提出了新观点,描述了多孔硅的形成过程的一些特性,指出了多孔硅的应用与发展的前景.
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