PL Mapping 技术检测大直径SI-GaAs晶片中缺陷分布

来源 :现代仪器 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kyoukini

【摘要】

：

采用pl mapping技术,检测6英寸Si-gaaS晶片的均匀性,从而得到样品中的缺陷分布状况.本文主要通过光荧光谱获得样品表面和内部丰富信息,利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷

【作者】

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赵彦桥韩彦辉杨燕萍郝秋艳刘彩池

【机构】

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河北工业大学信息功能材料研究所

【出处】

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现代仪器

【发表日期】

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2006年5期

【关键词】

：

快速扫描光荧光技术 SI-GAAS 光谱分析缺陷分布 PL Mapping SI-GaAs spectral analysis defects distrib

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采用pl mapping技术,检测6英寸Si-gaaS晶片的均匀性,从而得到样品中的缺陷分布状况.本文主要通过光荧光谱获得样品表面和内部丰富信息,利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷的不均匀分布等特点；对比样品局部发光强度信号和发光峰位的变化曲线图及化学腐蚀图片,进一步讨论由于缺陷而造成的样品均匀性的变化.

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