【摘 要】
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在半导体工艺中,刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅表面去除不需要的材料,在硅片上复制所需图形的工艺步骤.反应离子蚀刻的各向异性可以实现细微图形的转换,随着大规模集成
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在半导体工艺中,刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅表面去除不需要的材料,在硅片上复制所需图形的工艺步骤.反应离子蚀刻的各向异性可以实现细微图形的转换,随着大规模集成电路工艺技术的发展,为满足越来越小的尺寸要求,反应离子刻蚀已成为亚微米及以下尺寸最主要的蚀刻方式.通过对刻蚀工艺的研究,选择恰当工艺参数(如射频功率、气压、气体流量等等),可获得最佳工艺条件,并在保证刻蚀效果的同时提高刻蚀速率,是刻蚀工艺所追求的目标.
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