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CCl2F2等离子体干法刻蚀InSb—In薄膜的研究
CCl2F2等离子体干法刻蚀InSb—In薄膜的研究
来源 :传感器技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:linuxedit
【摘 要】
:
用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb-In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170&#
【作 者】
:
赵智昊
陈俊芳
黄钊洪
吴先球
熊予莹
【机 构】
:
华南师范大学,华南师范大学
【出 处】
:
传感器技术
【发表日期】
:
2003年4期
【关键词】
:
等离子体
干法刻蚀
锑化铟-铟薄膜
CCl2F2
InSb-In薄膜
磁传感器
plasma
dry etching
sample
InSb-In thi
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用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb-In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb-In薄膜进行刻蚀.
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